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高通或將委托三星2nm代工驍龍 8 Elite 2，與 SK 海力士洽談內存合作
- 據(jù)報道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵達韓國，計劃陸續(xù)與三星電子、SK 海力士高管會面。《韓經(jīng)》消息顯示，此行核心議題之一是與三星晶圓代工展開潛在合作。安蒙預計與三星代工總裁韓鎮(zhèn)滿等高層會談，討論由三星2nm 工藝（SF2） 生產(chǎn)高通下一代旗艦應用處理器驍龍 8 Elite 2。安蒙此前已釋放與三星代工合作的信號。2026 年 1 月 CES 展上，他曾表示高通已就 2nm 芯片制造與三星啟動磋商，且芯片設計已完成。若合作達成，高通最先進的芯片訂單將時
- 關鍵字： 高通 三星 2nm代工驍龍 8 Elite 2，與 SK 海力士洽談內存合作
SK海力士開始出貨業(yè)界首款321層QLC固態(tài)硬盤，4月向戴爾供貨
- 4月8日，SK海力士宣布已開始出貨其最新款cSSD PQC21——這是業(yè)內首款采用321層QLC NAND閃存的產(chǎn)品。從4月起，SK海力士將開始向戴爾科技集團批量出貨，同時穩(wěn)步拓展與其他全球領先客戶的合作。SK海力士表示，憑借這一發(fā)展勢頭，公司目標是在下一代AI PC存儲領域占據(jù)主導地位，并明確加大力度擴大其在基于QLC的cSSD（固態(tài)硬盤）領域的市場份額。據(jù)SK海力士介紹，該解決方案將超高的321層堆疊技術與QLC架構相結合。利用QLC每單元4比特的設計，在相同的物理尺寸下，顯著提高了存儲密度并最大限度
- 關鍵字： 海力士 戴爾 QLC
全球首款1c LPDDR6，來了
- SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產(chǎn)準備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標準，通過低電壓運作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應用，例如智能手機、平板電腦等終端設備。與
- 關鍵字： SK 海力士 LPDDR6 DRAM
海力士推出超性能版LPDDR6內存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%
- 海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一旦落地于 SOCAMM 模組，或將成為數(shù)據(jù)中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內存基于其 2024 年發(fā)布的領先 10nm 級（1c）工藝節(jié)點打造。新款 LPDDR6 內存芯片基礎運行速率超 10.7Gbps，遠超目前市場上性能最強的在售 LPDDR5X 內存
- 關鍵字： 海力士 LPDDR6 內存 LPDDR5X
人工智能驅動行業(yè)超級周期催生需求，韓國芯片巨頭大舉擴招
- 在半導體行業(yè)迎來 “超級周期”、三星電子與 SK 海力士兩大企業(yè)創(chuàng)下營收紀錄的背景下，這兩家韓國芯片龍頭企業(yè)正大幅擴大應屆生招聘規(guī)模。隨著全球人工智能競賽推動半導體需求持續(xù)攀升，各大企業(yè)新產(chǎn)線建設穩(wěn)步推進，芯片行業(yè)的用工需求激增，為該領域求職者帶來大量機會。三星電子率先布局據(jù)行業(yè)消息人士透露，三星電子及其旗下三星顯示、三星電機、三星 SDI 等核心子公司，最快將于本月啟動今年上半年的應屆生公開招聘。為擴大半導體產(chǎn)能，三星電子正于京畿道平澤市和龍仁半導體產(chǎn)業(yè)集群興建新晶圓廠，相關人才的儲備工作迫在眉睫，公司
- 關鍵字： 人工智能 超級周期 韓國 三星電子 SK 海力士
存儲芯片廠商2026營收預計達5510億美元 為芯片代工商兩倍
- 人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產(chǎn)業(yè)，人工智能基礎設施的大規(guī)模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數(shù)據(jù)顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發(fā)企業(yè)正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規(guī)律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業(yè)模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態(tài)隨機存取存儲器的營收總額
- 關鍵字： 存儲芯片 芯片代工 臺積電 三星 海力士 美光 帶寬存儲
三星、SK海力士預計2026年上半年NAND閃存毛利率將達40–50%，創(chuàng)歷史新高
- 隨著存儲芯片價格持續(xù)上漲，三星電子與SK海力士有望實現(xiàn)NAND閃存業(yè)務毛利率的歷史新高。據(jù)ZDNet報道，兩家公司預計將在今年上半年繼續(xù)激進上調NAND產(chǎn)品價格，業(yè)內預估其毛利率將攀升至40%–50% 區(qū)間。ZDNet指出，這將是NAND產(chǎn)品近十年來首次達到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲“超級周期”。報道補充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報道援引業(yè)內人士消息稱，市場普遍預期NAND價格將在第一季度和第二季度分階段持續(xù)上漲。由于存儲廠商對N
- 關鍵字： 三星 海力士 存儲
重組Solidigm，SK 海力士計劃建美國AI投資平臺
- SK 海力士正在美國設立 AI Co. 以擴大其在美業(yè)務。
- 關鍵字： SK 海力士
三星、SK海力士和美光據(jù)報加強訂單審核以遏制囤貨行為，內存供應緊張持續(xù)
- 內存供應緊張局面仍在持續(xù)。據(jù)《日經(jīng)亞洲》援引消息人士稱，三大存儲芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強對客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫存。報道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數(shù)量，以確保需求真實，避免過度預訂或大規(guī)模囤貨進一步擾亂市場。在當前持續(xù)短缺的背景下，報告指出，入門級和中端消費電子產(chǎn)品——如電視機、機頂盒、家用路由器、低價平板電腦、智能手機和PC——預計將受到最嚴重沖擊，而汽車行業(yè)也可能
- 關鍵字： 三星 海力士 存儲
消息稱SK海力士已拿下英偉達三分之二HBM4訂單
- 1 月 28 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，在今年圍繞下一代高帶寬內存（HBM）HBM4 供應的競爭讓半導體行業(yè)持續(xù)升溫之際，業(yè)內消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達今年用于下一代 AI 平臺“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數(shù)據(jù)相比此前市場預計 SK 海力士將供應英偉達 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場調研機構 Counterpoint 預測，今年全球 HBM
- 關鍵字： SK 海力士 英偉達 HBM4
OpenAI攜手AMD和三星設定新路線，試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷
- - ChatGPT 開發(fā)商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規(guī)模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯(lián)盟面臨挑戰(zhàn)主導人工智能（AI）半導體市場的 NVIDIA 大本營出現(xiàn)了裂縫。開創(chuàng)AI時代的ChatGPT開發(fā)商OpenAI決定量產(chǎn)AMD的下一代AI加速器，該加速器被認為是NVIDIA的唯一競爭對手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高帶寬內存）。三星電子（005930）有觀察稱，英偉達將作為主要供
- 關鍵字： OpenAI AMD 三星 NVIDIA SK AI芯片
SK Keyfoundry推出先進多層厚金屬間電介質電容工藝
- Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時還能增強抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達三層金屬間電介質，在金屬—絕緣體—金屬結構中，總厚度最高可達到18微米（μm）。這可提供高達19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預計該技術將用于制造數(shù)字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
- 關鍵字： SK Keyfoundry 電介質 電容工藝
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